TBC847B,LM(T, Эл. компонент
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
122 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 70 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The Toshiba bipolar transistor made up of the silicon material and having NPN epitaxial type. It is mainly used in low frequency amplifiers.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.019 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 192 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
