FDT86102LZ, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 780 руб.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.2 W |
Qg - заряд затвора | 25 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.8 mm |
Длина | 6.5 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 26 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | FDT86102LZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.5 mm |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
Power Dissipation | 2.2Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerTrench |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 6.6А |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
Рассеиваемая Мощность | 2.2Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 46 m |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Pin Count | 4 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC V @ 0 > 10 |
Typical Input Capacitance @ Vds | 1118 pF V @ 50 |
Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6.6 ns |
Максимальная рассеиваемая мощность | 2.2 W |
размеры | 3.7x6.7x1.7mm |
разрешение | Power MOSFET |
тип монтажа | Surface Mount |
тип упаковки | SOT-223 |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 361 КБ
Datasheet FDT86102LZ
pdf, 359 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов