C3M0120065D, MOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1475 шт., срок 6-8 недель
2 060 руб.
от 10 шт. —
1 770 руб.
от 30 шт. —
1 530 руб.
от 120 шт. —
1 322.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 060 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 742 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
![RD16HHF1-501, Транзистор, 30МГц, 16Вт [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC000254197.jpg)
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![IPW60R037P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 650В 76A [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
