G3R350MT12D, MOSFET 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4214 шт., срок 7-9 недель

1 400 руб.

от 10 шт. — 1 150 руб.

от 30 шт. — 1 060 руб.

от 120 шт. — 918.34 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 400 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8007472861

Артикул: G3R350MT12D

Vds:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:74W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G3R350MT12D

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.35Ом
Power Dissipation	74Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	11А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	74Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.35Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1