P13F28HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 280В, 13А, Idm: 52А, 65Вт

Фото 1/2 P13F28HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 280В, 13А, Idm: 52А, 65Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
72 шт., срок 7 недель
340 руб.
от 5 шт.270 руб.
от 25 шт.208 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8007486385
Артикул: P13F28HP2-5600

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 280В, 13А, Idm: 52А, 65Вт Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Case FTO-220AG(SC91)
Drain current 13A
Drain-source voltage 280V
Gate charge 15nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package bulk
Manufacturer SHINDENGEN
Mounting THT
On-state resistance 0.3Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 65W
Pulsed drain current 52A
Technology Hi-PotMOS2
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 1.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 11076 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.