G3R450MT17D, MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET

Фото 1/2 G3R450MT17D, MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3133 шт., срок 7-9 недель
1 910 руб.
от 10 шт.1 600 руб.
от 30 шт.1 510 руб.
от 120 шт.1 226.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 910 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007492585
Артикул: G3R450MT17D

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.45Ом
Power Dissipation 88Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.7кВ
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.7В
Рассеиваемая Мощность 88Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.45Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Case TO247-3
Drain current 6A
Drain-source voltage 1.7kV
Gate charge 18nC
Gate-source voltage -5…15V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting THT
On-state resistance 0.45Ω
Polarisation unipolar
Pulsed drain current 16A
Technology G3R™, SiC
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet G3R450MT17D
pdf, 1070 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.