Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STW15N80K5

STW15N80K5

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

1 640 руб.

от 2 шт. — 1 510 руб.

от 5 шт. — 1 400 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 640 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007493471

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой STW15N80K5 от компании STMicroelectronics представляет собой высококачественный компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Этот N-MOSFET транзистор способен работать с током стока до 8,8 А и выдерживает напряжение сток-исток до 800 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. С мощностью в 190 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,3 Ом, STW15N80K5 эффективно управляет электрическими нагрузками с высокой эффективностью. Корпус TO247 обеспечивает надежную конструкцию для длительной работы. Выбирая STW15N80K5, вы получаете надежность и высокую производительность от известного производителя полупроводниковых устройств. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	8.8
Напряжение сток-исток, В	800
Мощность, Вт	190
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.3
Корпус	TO247

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	14A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 100V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	190W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	375 mOhm @ 7A, 10V
Series	SuperMESH5в(ў
Supplier Device Package	TO-247
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100ВµA
Id - непрерывный ток утечки	14 A
Pd - рассеивание мощности	190 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	600
Серия	STW15N80K5
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	14 A
Maximum Drain Source Resistance	375 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	190 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	32 nC @ 10 V
Width	5.15mm
Case	TO247
Drain current	8.8A
Drain-source voltage	800V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±30V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Mounting	THT
On-state resistance	0.3Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	190W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	38