STS7P4LLF6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
440 руб.
от 2 шт. —
340 руб.
от 5 шт. —
271 руб.
от 10 шт. —
246.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -40V, -7A, 150DEG C, 2.7W; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vg
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package / Case | SOIC-8 |
| Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details |
| Series | P-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20.5 mOhms |
| Series: | STS7P4LLF6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
