G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

960 шт., срок 6 недель

1 570 руб.

от 3 шт. — 1 490 руб.

от 10 шт. — 1 180 руб.

от 50 шт. — 999.85 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 570 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007502232

Артикул: G3R350MT12J

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.35Ом
Power Dissipation	75Вт
Количество Выводов	7вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	11А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	75Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.35Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Вес, г	1.36