G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1133 шт., срок 7 недель
4 330 руб.
от 30 шт. —
3 340 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 330 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 50A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 106nC |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 333W |
| Pulsed drain current | 140A |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 937 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
