CMKDM8005TRPBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
235590 шт., срок 7-9 недель
22 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
от 25 шт. —
18 руб.
от 100 шт. —
15 руб.
от 1000 шт. —
14.72 руб.
Добавить в корзину 16 шт.
на сумму 352 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023028190
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs
Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R DS(ON) and low threshold voltage.
Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R DS(ON) and low threshold voltage.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 360 mOhms |
| Series: | CMxxDM |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
