NTE2967, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 70А, Idm: 280А, 150Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7 недель
3 720 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 720 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 70А, Idm: 280А, 150Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 70A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 14mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 150W |
| Pulsed drain current | 280A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 7.19 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 57 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
