BD242B, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А

Фото 1/4 BD242B, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
469 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
87 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 30 шт.70 руб.
от 50 шт.65 руб.
от 150 шт.61 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 522 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8007736932
Артикул: BD242B
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Pd - рассеивание мощности 40 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.15 mm
Длина 10.4 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BD242
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220AB-3
Ширина 4.6 mm
Base Product Number BD242 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 300ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A, 4V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power - Max 2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 10hFE
DC Усиление Тока hFE 10hFE
Power Dissipation 40Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -80 V
Configuration Single
Emitter- Base Voltage VEBO -5 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 9.15 mm(Max)
Length 10.4 mm(Max)
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current -3 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 40 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series BD242
Transistor Polarity PNP
Width 4.6 mm(Max)
Вес, г 2

Техническая документация

BD242_Datasheet
pdf, 50 КБ
Datasheet BD242B
pdf, 78 КБ
Datasheet BD242B
pdf, 78 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.