80-SD1013-03, Trans RF BJT NPN 35V 1A 13000mW 4-Pin Style M113
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 600 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 31 200 руб.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 681 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330075.jpg)
![Транзистор BU808DFX, тип NPN, 160 Вт, корпус ISO-WATT218 ,ST [BU808DFI]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126176.jpg)
