HIP2100EIBZ

HIP2100EIBZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
1 330 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 330 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007855389
Бренд: Renesas Technology

Описание

Электроэлемент
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N EP Tube

Технические параметры

Driver Configuration Non-Inverting
Driver Type High and Low Side
Fall Time 10 ns
Input Logic Level CMOS
Mounting Surface Mount
Number of Drivers 2
Operating Supply Voltage (Max) 14 V
Operating Supply Voltage (Min) 9 V
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Output Resistance 3 ohm
Package Type SOIC N EP
Packaging Rail/Tube
Peak Output Current 2000
Pin Count 8
Power Dissipation 3.1 W
Propagation Delay Time 35 ns
Rad Hardened No
Rise Time 10 ns
Turn Off Delay Time 8 ms
Turn On Delay Time (Max) 8 us
Brand: Renesas/Intersil
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 980
Fall Time: 500 ns
Features: Independent
Manufacturer: Renesas Electronics
Maximum Operating Temperature: +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time: 8 ns
Maximum Turn-On Delay Time: 8 ns
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 2 Driver
Number of Outputs: 2 Output
Operating Supply Current: 2.5 mA
Output Current: 2 A
Package / Case: SOIC-EP-Narrow-8
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 3.1 W
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: Half-Bridge Drivers
Propagation Delay - Max: 35 ns
Rise Time: 500 ns
Series: HIP2100
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 14 V
Supply Voltage - Min: 9 V
Technology: Si
Type: High-Side, Low-Side
Вес, г 0.08

Техническая документация

Datasheet HIP2100IBZ
pdf, 664 КБ
Документация
pdf, 742 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.