IGW75N60H3FKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 930 руб.
от 2 шт. —
2 740 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 930 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 140A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
Gate Charge | 470nC |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 428W |
Series | TrenchStopВ® |
Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
Switching Energy | 3mJ(on), 1.7mJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 31ns/265ns |
Test Condition | 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Base Product Number | IGW75N60 -> |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Tube |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Channel Type | N |
Energy Rating | 6.2mJ |
Gate Capacitance | 4620pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 428 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 140А |
Power Dissipation | 428Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT3 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 19.96 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IGW75N60H3FKSA1
pdf, 1586 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов