2N3439UA, Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 960 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 31 840 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Not Compliant |
Lead Shape | No Lead |
Material | Si |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3 4mA 50mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 450 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5 4mA 50mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 350 |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
Minimum DC Current Gain | 40 20mA 10V|30 2mA 10V|10 0.2mA 10V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Waffle |
Part Status | Active |
PCB changed | 4 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | UA |
Supplier Package | UA |
Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2N3439UA
pdf, 272 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары