G3R160MT12J, MOSFET 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET

G3R160MT12J, MOSFET 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
288 шт., срок 7-9 недель
2 040 руб.
от 10 шт.1 750 руб.
от 25 шт.1 670 руб.
от 100 шт.1 363.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 040 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007881995
Артикул: G3R160MT12J

Описание

Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:128W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G3R160MT12J

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.16Ом
Power Dissipation 128Вт
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 22А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.69В
Рассеиваемая Мощность 128Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.16Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet G3R160MT12J
pdf, 1304 КБ
Документация
pdf, 1097 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.