G3R160MT12J, MOSFET 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
288 шт., срок 7-9 недель
2 040 руб.
от 10 шт. —
1 750 руб.
от 25 шт. —
1 670 руб.
от 100 шт. —
1 363.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 040 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:128W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G3R160MT12J
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
Power Dissipation | 128Вт |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 22А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Рассеиваемая Мощность | 128Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet G3R160MT12J
pdf, 1304 КБ
Документация
pdf, 1097 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.