J112G
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
43 руб.
от 10 шт. —
26 руб.
от 100 шт. —
12.51 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 194 руб.
Описание
Электроэлемент
J112_D27Z J112-D26Z
Технические параметры
| Base Part Number | J112 |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625mW |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 35V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1V @ 1ВµA |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 451 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
