IRFH5007TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 17A 5X6 PQFN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 46 шт. —
240 руб.
от 92 шт. —
229 руб.
от 183 шт. —
226 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 17A 5X6 PQFN
Технические параметры
Корпус | PQFN 5x6 mm | |
Id - непрерывный ток утечки | 17 A | |
Pd - рассеивание мощности | 3.6 W | |
Qg - заряд затвора | 65 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.9 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 14 ns | |
Время спада | 11 ns | |
Высота | 0.83 mm | |
Длина | 6 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 4000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 30 ns | |
Типичное время задержки при включении | 10 ns | |
Торговая марка | Infineon / IR | |
Упаковка / блок | PQFN-8 | |
Ширина | 5 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.6 A | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | PQFN 5mm x 6mm | |
Вес, г | 0.389 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 269 КБ
Datasheet IRFH5007TRPBF
pdf, 280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов