Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › BCW65ALT1G, Транзистор BCW65ALT1G

BCW65ALT1G, Транзистор BCW65ALT1G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 руб.

от 200 шт. — 3 руб.

от 400 шт. — 2 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 руб.

Номенклатурный номер: 8008267835

Артикул: BCW65ALT1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Транзисторы / Транзисторы смд

SOT-23

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,8А, 300мВт, SOT23 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	35
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.8 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.8 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BCW65AL
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage	60 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage	32 V
Maximum DC Collector Current	800 mA
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	225 mW
Minimum DC Current Gain	100, 250
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.05