IHW25N120E1XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 140 руб.
от 2 шт. —
1 010 руб.
от 5 шт. —
918 руб.
от 10 шт. —
875 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 140 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5V; Power Dissipation Pd:231W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pin
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 50 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 50 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IHW25N120E1 |
Pd - Power Dissipation | 231 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Pd - рассеивание мощности | 231 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IHW25N120E1 SP001391910 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | IGBT RC Soft Switching |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Base Product Number | IHW25N120 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 147nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | NPT and Trench |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Power - Max | 231W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | TrenchStopв„ў -> |
Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
Switching Energy | 800ВµJ (off) |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 50А |
Power Dissipation | 231Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
Maximum Power Dissipation | 231 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 25 |
Техническая документация
Datasheet IHW25N120E1XKSA1
pdf, 1893 КБ
Datasheet IHW25N120E1XKSA1
pdf, 1990 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов