IXFK80N60P3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
8 740 руб.
от 2 шт. —
8 420 руб.
от 5 шт. —
8 000 руб.
от 10 шт. —
7 761.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 740 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-Ch 600V 80A 1300W 0,077R TO264AA
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 25 |
| Fall Time | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 90 S, 55 S |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-264-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 1.3 kW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 190 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 70 mOhms |
| Rise Time | 25 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXFK80N60 |
| Technology | Si |
| Tradename | HyperFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Unit Weight | 0.264555 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Вес, г | 12.78 |
Техническая документация
Datasheet IXFK80N60P3
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
