MMBFU310LT1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
87 руб.
от 100 шт. —
48 руб.
от 500 шт. —
41.27 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
Технические параметры
| Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | 24mA@10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | 25V |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | 2.5V@1nA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) | - |
| Total Device Dissipation (Pd) | 225mW |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet MMBFU310LT1G
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![AO6402A, Транзистор [TSOP-6]](https://static.chipdip.ru/lib/444/DOC044444534.jpg)
