IRLB4030PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 370Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 020 руб.

Кратность заказа 10 шт.

от 50 шт. — 730 руб.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 10 200 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8008513617

Артикул: IRLB4030PBF

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 370Вт, TO220AB Характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	180A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11360pF @ 50V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	370W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3mOhm @ 110A, 10V
Series	HEXFETВ®
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	180 A
Maximum Drain Source Resistance	4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +16 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	370 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	87 nC @ 4.5 V
Width	4.83mm
Вес, г	1.99