J175-D26Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

87 руб.

Кратность заказа 100 шт.

от 500 шт. — 63 руб.

от 2000 шт. — 54 руб.

Добавить в корзину 100 шт. на сумму 8 700 руб.

Номенклатурный номер: 8008523185

Артикул: J175-D26Z

Описание ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В

Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	350 mW
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Brand:	onsemi/Fairchild
Configuration:	Single
Drain-Source Current at Vgs=0:	-7 mA to-60 mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Gate-Source Cutoff Voltage:	6 V
Manufacturer:	onsemi
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-92-3 Kinked Lead
Packaging:	Reel, Cut Tape
Part # Aliases:	J175_D26Z
Pd - Power Dissipation:	350 mW
Product Category:	JFET
Product Type:	JFETs
Rds On - Drain-Source Resistance:	125 Ohms
Series:	J175
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	P-Channel
Type:	JFET
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	30 V
Вес, г	0.379