MASTERGAN5, Gate Drivers High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power HEMTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
322 шт., срок 7-9 недель
2 080 руб.
от 10 шт. —
1 780 руб.
от 25 шт. —
1 700 руб.
от 100 шт. —
1 379.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 080 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The STMicroelectronics advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN power transistors.
Технические параметры
| Package Type | VFQFPN 31L |
| Pin Count | 31 |
| Supply Voltage | 600V |
| IC Case / Package | QFN |
| Выходной Ток | 4А |
| Количество Выводов | 31вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 2канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Полумост |
| Корпус ИС DC / DC Преобразователя | QFN-EP |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Входное Напряжение | 9.5В |
| Максимальное Напряжение Питания | 15В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Входное Напряжение | 4.75В |
| Минимальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Стиль Корпуса Привода | QFN |
| Тип переключателя питания | GaN HEMT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Техническая документация
Datasheet MASTERGAN5
pdf, 402 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
