1N5408G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
75 руб.
от 10 шт. —
57 руб.
от 100 шт. —
39.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Посмотреть аналоги6
Описание
Электроэлемент
Описание Диод: импульсный, THT, 1кВ, 3А, Ifsm: 200А, DO27, Ufmax: 1В, Ir: 50мкА Характеристики Категория | Диод |
Тип | высоковольтный |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1200 |
Height | 5.3 mm(Max) |
If - Forward Current | 3 A |
Ir - Reverse Current | 10 uA |
Length | 9.5 mm(Max) |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Max Surge Current | 200 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | DO-201AD |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | - |
Product | Rectifiers |
Product Category | Rectifiers |
Recovery Time | - |
RoHS | Details |
Series | 1N5408 |
Termination Style | Through Hole |
Type | Standard Recovery Rectifiers |
Unit Weight | 0.038801 oz |
Vf - Forward Voltage | 1 V |
Vr - Reverse Voltage | 1000 V |
Width | 5.3 mm(Max) |
Diode Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DO-201AD |
Maximum Continuous Forward Current | 3A |
Mounting Type | Through Hole |
Diameter | 5.3mm |
Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
Pin Count | 2 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 200A |
Diode Type | Silicon Junction |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1000V |
Diode Technology | Silicon Junction |
Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 1013 КБ
Документация
pdf, 156 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды быстродействующие»
Типы корпусов импортных диодов
Похожие товары