STB14NM50N, Транзистор полевой N-канальный 500В 12A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
380 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
140 руб.
от 20 шт. —
136 руб.
от 39 шт. —
130 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 510 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 12A
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 32 ns | |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-263-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 90 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 42 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 900 mOhms | |
| Rise Time | 9 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | N-channel MDmesh | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MDmesh II Power MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Fall Time: | 32 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) | |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 mOhms | |
| Rise Time: | 9 ns | |
| Series: | STB14NM50N | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MDmesh II Power MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | |
| Вес, г | 2.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1070 КБ
Документация
pdf, 1090 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
