Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BCV61C,215, Биполярный транзистор, NPN, 30 В ...

BCV61C,215, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

43 шт. со склада г.Москва, срок 10-13 дней

24 руб.

Мин. кол-во для заказа 20 шт.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 480 руб.

Альтернативные предложения5

Номенклатурный номер: 8008606820

Артикул: BCV61C,215

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА

Технические параметры

Корпус	SOT-143B
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	BCV61C T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	420
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	100 at 100 uA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-143-4
Ширина	1.4 mm
Transistor Type	2 NPNпј€Doubleпј‰Current Mirror
Maximum Collector Base Voltage	30 V
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum DC Current Gain	420
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-143B
Pin Count	4
Transistor Configuration	Current Mirror
Вес, г	2