STGD10HF60KD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3100 шт., срок 6-8 недель
700 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
398 руб.
от 500 шт. —
293.21 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Квалификация | AEC-Q101 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.75 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 18 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 10 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STGD10HF60KD |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Техническая документация
Datasheet STGD10HF60KD
pdf, 732 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.