FF300R07ME4B11BPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 530 руб.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 390А |
| DC Ток Коллектора | 390А |
| Power Dissipation | 1.1кВт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.1кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 711 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
