IRLB3036PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 300 руб.
от 50 шт. —
890 руб.
от 100 шт. —
712 руб.
от 500 шт. —
588.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 270А, 380Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 195 A |
| Pd - рассеивание мощности | 380 W |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11210pF @ 50V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 380W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 165A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 270 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 380 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 91 nC @ 4.5 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 91 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
