G3R160MT12D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3401 шт., срок 7-9 недель
1 860 руб.
от 10 шт. —
1 570 руб.
от 25 шт. —
1 500 руб.
от 100 шт. —
1 309.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 860 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8008710349
Бренд: GENESIC SEMICONDUCTOR
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
Power Dissipation | 123Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 22А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Рассеиваемая Мощность | 123Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet G3R160MT12D
pdf, 1135 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.