STGB8NC60KDT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 шт., срок 6-8 недель
520 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
294 руб.
от 500 шт. —
232.15 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGB8NC60KD |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 540 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
