CEDM7004 TR PBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41199 шт., срок 7-9 недель
190 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
98 руб.
от 500 шт. —
78.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008818388
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs
Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R DS(ON) and low threshold voltage.
Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R DS(ON) and low threshold voltage.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.78 A |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 792 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Series: | CMxxDM |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Вес, г | 3 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
