NCD57090EDWR2G, Gate Drivers Isolated High Current Gate Driver Isolated High Current Gate Driver
см. техническую документацию
Описание
NCD57090 is high-current single channel IGBT/MOSFET gate drivers with 5KVrms internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. The devices accept complementary inputs and depending on the pin configuration, offer options such as driver outputs. The driver accommodate wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3V to 20V and they are available in wide body SOIC-8 package. Typical applications include motor control, uninterruptible power supplies (UPS), automotive applications, industrial power supplies and solar inverters.
• High peak output current (+6.5A/-6.5A)
• Short propagation delays with accurate matching
• IGBT/MOSFET gate clamping during short circuit
• IGBT/MOSFET gate active pull down
• Tight UVLO thresholds for bias flexibility
• 3.3V, 5V and 15V logic input, 5KVrms galvanic isolation
• High transient immunity, high electromagnetic immunity
Технические параметры
Fall Time | 13ns |
Output Current | 6.5 A |
Package Type | SOIC |
Pin Count | 8 |
Supply Voltage | 20V |
IC Case / Package | SOIC |
Задержка Выхода | 60нс |
Задержка по Входу | 60нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 1канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Неинвертирующий |
Линейка Продукции | NCx57090y |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальное Напряжение Питания | 15В |
Минимальная Рабочая Температура | -65°C |
Минимальное Напряжение Питания | 3.3В |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
Ток истока | 6.5А |
Ток стока | 6.5А |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем