Транзистор IRF9640SPBF, тип P, 125 Вт, корпус TO-263-5/D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва
380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008923612
Артикул: транз IRF9640SPBF \P\125\TO-263-5/D2PAK\
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 200В 11A 125Вт 0,5Ом DІPak Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.5 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
Крутизна характеристики, S | 4.1 | |
Корпус | TO-263 | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Крутизна характеристики S,А/В | 4.1 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 500 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 500 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 3 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | D2PAK(TO-263) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Width | 9.65mm | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | P-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
Packaging | Cut Tape(CT) | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 125W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6.6A, 10V | |
Series | - | |
Supplier Device Package | D2PAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF9640SPBF
pdf, 231 КБ
IRF9640s
pdf, 173 КБ
IRF9640SPBF
pdf, 979 КБ
Документация
pdf, 230 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары