G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 шт., срок 7 недель
12 970 руб.
от 3 шт.10 490 руб.
от 10 шт.9 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 970 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8008966348
Артикул: G3R45MT17D

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.045Ом
Power Dissipation 438Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.7кВ
Непрерывный Ток Стока 61А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.7В
Рассеиваемая Мощность 438Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.045Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Вес, г 6.04

Техническая документация

Datasheet G3R45MT17D
pdf, 1084 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.