G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт., срок 7 недель
12 970 руб.
от 3 шт. —
10 490 руб.
от 10 шт. —
9 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 970 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
Power Dissipation | 438Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
Непрерывный Ток Стока | 61А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
Рассеиваемая Мощность | 438Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 6.04 |
Техническая документация
Datasheet G3R45MT17D
pdf, 1084 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары