G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
327 шт., срок 6 недель
6 150 руб.
от 3 шт.4 990 руб.
от 10 шт.4 410 руб.
от 30 шт.3 944.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 150 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008966357
Артикул: G3R40MT12K

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.04Ом
Power Dissipation 333Вт
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 71А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.69В
Рассеиваемая Мощность 333Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.04Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Вес, г 6.57

Техническая документация

Datasheet G3R40MT12K
pdf, 1084 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.