G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
![G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт](https://static.chipdip.ru/lib/909/DOC007909105.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
327 шт., срок 6 недель
6 150 руб.
от 3 шт. —
4 990 руб.
от 10 шт. —
4 410 руб.
от 30 шт. —
3 944.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 150 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
Power Dissipation | 333Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 71А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Рассеиваемая Мощность | 333Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 6.57 |
Техническая документация
Datasheet G3R40MT12K
pdf, 1084 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары