FF150R12KE3G, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 360 руб.
от 2 шт. —
15 500 руб.
от 3 шт. —
15 020 руб.
от 4 шт. —
14 830 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 360 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А
Технические параметры
| Корпус | 62 mm | |
| Brand | Infineon Technologies | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V | |
| Configuration | Dual | |
| Continuous Collector Current at 25 C | 225 A | |
| Factory Pack Quantity | 10 | |
| Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA | |
| Height | 30.5 mm | |
| Length | 106.4 mm | |
| Manufacturer | Infineon | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +125 C | |
| Minimum Operating Temperature | -40 C | |
| Mounting Style | Screw | |
| Package / Case | 62 mm | |
| Part # Aliases | FF150R12KE3GHOSA1 SP000100740 | |
| Pd - Power Dissipation | 780 W | |
| Product | IGBT Silicon Modules | |
| Product Category | IGBT Modules | |
| RoHS | N | |
| Unit Weight | 12 oz | |
| Width | 61.4 mm | |
| Вес, г | 364.4 |
