C3M0065100J, MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
876 шт., срок 6-8 недель
4 230 руб.
от 25 шт. —
3 760 руб.
от 50 шт. —
3 120 руб.
от 100 шт. —
3 095.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 230 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
1kV 35A 78mΩ@20A,15V 113.5W 3.5V@5mA null D2PAK-7 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 78mΩ@20A, 15V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1kV |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.5V@5mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 660pF@600V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 113.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 35nC@15V |
| Type | null |
| Вес, кг | 7.81 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 847 КБ
Wolfspeed C3M0065100J
pdf, 1002 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
![Транзистор 60R165CP, тип N, 192 Вт, корпус D2PAK [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126100.jpg)
