STD10NM60ND, Транзистор полевой N-канальный 600В 8A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5736 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 102 шт. — 97 руб.

от 203 шт. — 92 руб.

от 406 шт. — 90 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 520 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8009152265

Артикул: STD10NM60ND

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 600В 8A

Корпус	DPAK/TO-252AA
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Id - Continuous Drain Current:	8 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	70 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	19 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	600 mOhms
Series:	STD10NM60ND
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	8A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	577pF @ 50V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging	Digi-ReelВ®
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	70W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4A, 10V
Series	FDmeshв(ў II
Standard Package	1
Supplier Device Package	DPAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Вес, г	1.134