G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
32 950 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 32 950 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 70A |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 20mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 523W |
| Pulsed drain current | 300A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 35.44 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1160 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
