IHW30N160R5XKSA1, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 370 руб.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.6кВ |
| Continuous Collector Current | 30А |
| Power Dissipation | 263Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Resonant Switching Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 263 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Military | No |
| Supplier Package | TO-247 |
| Вес, г | 8.8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1365 КБ
Datasheet IHW30N160R5XKSA1
pdf, 1821 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
