STP80NF70, Транзистор MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
150 руб.
от 22 шт. —
130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Технические параметры
Base Product Number | STP80 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 98A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 68V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 40A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | STripFETв„ў II -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
кол-во в упаковке | 50 |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 75 ns |
Forward Transconductance - Min | 60 S |
Id - Continuous Drain Current | 98 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 190 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 75 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 9.8 mOhms |
Rise Time | 60 ns |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 90 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 68 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Вес, г | 2.594 |
Техническая документация
Datasheet STP80NF70
pdf, 421 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.