STD30N10F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
700 руб.
от 2 шт. —
590 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 32A, 175DEG C, 50W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:STripFET F7 Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Технические параметры
| Base Part Number | STD30N10 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 32A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 50V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 16A, 10V |
| Series | DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VII |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
| Power Dissipation | 50Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 32А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 50Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 763 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
