STP100N6F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
460 руб.
от 2 шт. —
360 руб.
от 5 шт. —
284 руб.
от 10 шт. —
258.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 75А, 125Вт, TO220-3
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 15 ns |
Id - Continuous Drain Current | 100 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 125 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 30 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.6 mOhms |
Rise Time | 55.5 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 28.6 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 21.6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
Maximum Drain Source Resistance | 5.6 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET F7 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 12.6 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.