C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

19 шт. со склада г.Москва

4 530 руб.

от 3 шт. — 3 990 руб.

от 10 шт. — 3 330 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 530 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8009647020

Артикул: C3M0075120D

Бренд: WOLFSPEED

Описание Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт Характеристики

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.075Ом
Power Dissipation	113.6Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	C3M
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	30А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	113.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.075Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	30 A
Maximum Drain Source Resistance	75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, 19 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	113.6 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.7V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	SiC
Typical Gate Charge @ Vgs	54 nC @ 4/15V
Width	5.21mm
Вес, г	5

pdf, 870 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем