FS200R12KT4RBOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 280 A 1200 V, 35-Pin EconoPACK 3, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 770 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 77 770 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 280 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1000 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | EconoPACK 3 |
| Pin Count | 35 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 280А |
| DC Ток Коллектора | 280А |
| Power Dissipation | 1кВт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | Econo 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 1кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FS200R12KT4RBOSA1
pdf, 706 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары
